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IXTK170N10P |
TO-264-3，TO-264AA | IXYS | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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IXTK170N10P参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 包装数量：25 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：170A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：198nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6000pF @ 25V 功率 - 最大值：714W 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeGCC65DRES-S734 TVS - 变阻器ROV20H301K-2 逻辑 - 栅极和逆MC14011BFELG 晶体管(BJT) PDTA144TE,115 晶体管(BJT) PDTA144WU,115 存储器IDT7008L15JG8 开关转换器，SMPPOE7W3X5.0-R PMIC - 稳压MIC5239-3.0BMMTR Hard Metr73474-201LF 适配器AC164323 |
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